Selective Etch Produktfamilie

Der große Bedarf an immer höher integrierten und energieeffizienteren Halbleitern mit hoher Leistungsfähigkeit führt zu neuen technologischen Wendepunkten, sodass die Entwicklung fortschrittlicher Logik- und Speicherchips unterstützt werden kann. Weil FinFET-Bauelemente allmählich an die Grenzen ihrer Skalierbarkeit stoßen, stellen führende Chiphersteller ihre Produktion auf Gate-all-around(GAA)- oder Nanosheet-Strukturen um. Was Speicherchips betrifft, so wurde der Schwerpunkt von NAND-Flashzellen bereits erfolgreich auf dreidimensionale Strukturen umgestellt, und DRAM (Dynamic Random Access Memory) dürfte in Kürze folgen.

Diese technologischen Wendepunkte machen einen dreidimensionalen Ansatz zur Chipherstellung erforderlich, bei dem Materialien sowohl selektiv als auch isotrop – oder einheitlich in alle Richtungen – von den Wafer-Oberflächen abgetragen werden. Um das zu erreichen, benötigen Chiphersteller neue und außerordentlich komplexe Fertigungsverfahren, mit denen bisher unvorstellbare Prozesse wie das vertikale und laterale Formen von Funktionsmerkmalen im Nanomaßstab möglich werden – Prozesse, die eine Präzision auf Ångström-Ebene erfordern, um den Abtrag, die Veränderung oder das Beschädigen anderer kritischer Materialschichten während des Ätzens zu verhindern.

Lams bahnbrechende Serie an selektiven Ätzlösungen bietet die ultrahohe Selektivität und die Präzisions-Ätzfähigkeiten, die für die Entwicklung und Herstellung fortschrittlicher 3D-Logik- und Speicherchipstrukturen benötigt werden.