Die datenintensiven KI-Anwendungen von heute erfordern erhebliche Fortschritte in der Speichertechnologie – insbesondere bei NAND-Flash-Speichern – und schnellere Datenübertragungsgeschwindigkeiten. Der steigende Bedarf an Rechenleistung führt zu einem höheren Stromverbrauch bei der Datenübertragung in Speichersystemen. Chiphersteller müssen für 3D-NAND auf 200 Schichten und darüber hinaus skalieren, um die Kosten pro Bit zu senken und gleichzeitig die Umweltauswirkungen zu reduzieren.
Das kryogene Ätzen bei niedrigen Temperaturen ermöglicht den Einsatz innovativer, neuartiger chemischer Verfahren, die Ätzprozesse mit höchsten Aspektverhältnissen ermöglichen. Die Kryotechnik ermöglicht höhere Ätzraten, vertikale Profile mit hohem Aspektverhältnis und reduziert die Umweltbelastung infolge des Ätzprozesses.
Durch den Einsatz firmeneigener und einzigartiger Technologien hat Lam das Channel-Hole-Ätzen im Laufe der Zeit perfektioniert, und zwar durch:
- Kryogenes Ätzen mit hohem Aspektverhältnis: Gleichmäßiges Tiefenätzen ermöglicht mehr Bits pro Zelle
- Skalierung der Wordline-Abstände: Dünnere Oxid-/Nitrid-Abscheidungsschichten ermöglichen mehr Bits pro Bauelement VECTOR® PECVD (hochproduktives Oxid-Gap-Fill) und ALTUS® W (Wolframfüllung mit hohem Aspektverhältnis und geringer Spannung)
- Erweiterte Wordline-Metallisierung: Metall mit geringerem Widerstand ermöglicht dünnere Verbindungen und schnellere Bauelemente. VECTOR® Strata® (gleichmäßige Ox/SiN-Schichtkontrolle mit geringer Spannung), Kiyo®, Halo (Void-freie Mo-Füllung mit hohem Aspektverhältnis (HAR))
- Ausgleich von Spannungen über den gesamten Wafer: Die Abscheidung auf der Rückseite steuert die Wafer-Durchbiegung und ermöglicht höhere Bauelemente. Coronus® DX (hochselektive Schrägfilmabscheidung), VECTOR® DT (gleichmäßiger rückseitiger Film zum Ausgleich der Wafer-Durchbiegung) und EOS® (hochproduktives Rückseitenfilmätzen)
Mit diesen Technologien ermöglicht Lam es seinen Kunden, nahezu perfekte Memory-Hole-Ätzprofile mit hohem Durchsatz und geringer Umweltbelastung zu erzielen.
Wir stellen vor: Lam Cryo™ 3.0
Lam Cryo™ 3.0 ermöglicht ein höheres Aspektverhältnis bei bahnbrechender Präzision und Profilkontrolle. Durch die Nutzung von Innovationen in den Bereichen Oberflächenchemie, Plasmaphysik und Prozessdesign ist Lam Cryo™ 3.0 für die Herstellung zukünftiger 3D-NAND-Bauelemente mit 400 Schichten und mehr optimiert.
Lam Cryo™ 3.0 ist kompatibel mit Flex® und Vantex®, die von allen führenden Speicherherstellern für das bauelementkritische Channel-Hole-Ätzen in der hochvolumigen 3D-NAND-Produktion eingesetzt werden. Durch die Erweiterung bestehender und zukünftiger Anlagen um Lam Cryo™ 3.0 können Kunden ihre Anlageninvestitionen mit außergewöhnlicher Leistung und Produktivität maximieren.
Erfahren Sie hier mehr über kryogenes Ätzen und die Entwicklung von 3D-Innovationen.
Der Weg zum 3D-NAND mit 1.000 Schichten
Speicher im Zeitalter der KIZusätzliche Ressourcen
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Introducing Lam Cryogenic Etching
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Scaling to 1,000-Layer NAND in the AI Era