ALTUS Produktfamilie
Products
Atomic Layer Deposition (ALD) Chemische Gasphasenabscheidung (CVD)
Wolframbeschichtungen werden verwendet, um auf Chips leitfähige Bestandteile wie Kontakte, Löcher und Stecker zu bilden. Diese Bestandteile sind klein, oftmals schmal, und verwenden nur geringe Mengen an Metall, so dass es schwierig sein kann, den Widerstand zu minimieren und eine vollständige Füllung zu erreichen. Bei diesen Strukturbreiten im Nanobereich können sich sogar kleinste Mängel auf die Leistung des Bauteils auswirken oder für das Versagen des Chips sorgen.
Lams marktführende ALTUS®-Systeme verbinden CVD- und ALD-Technologien, um die stark schützenden Schichten aufzutragen, die für fortgeschrittene Wolfram-Metallbeschichtungsanwendungen notwendig sind. Für manche Anwendungen sind über unsere Reliant®-Systeme auch ausgewählte Modelle als generalüberholte Produkte verfügbar und bieten niedrigere Prozess- und Betriebskosten mit der gleichen Qualität und Leistung wie neue Systeme.
Industry Challenges
Während sich Halbleiterhersteller immer kleineren Strukturgrößen zuwenden, ergeben sich für Verfahren zur Kontaktmetallbeschichtung mit Wolfram signifikante Herausforderungen in den Bereichen Skalierung und Integration , beispielsweise in der Minimierung der Kontaktwiderstände, um die Anforderungen modernster Bauelemente in Bezug auf Stromverbrauch und hohe Geschwindigkeiten zu erfüllen. Bei Strukturen im Nanobereich ist eine vollständige Füllung mit Wolfram (W) mittels herkömmlicher CVD-Technologien, aufgrund des durch Schutzfolien und konventionelle Beschichtungstechnologien bedingten Überhangs, nur möglich. Dadurch wird die Strukturöffnung geschlossen, bevor eine vollständige Füllung erreicht werden kann, was zu Hohlräumen, höherem Widerstand und Kontaktfehlern führt. Sogar gänzlich gefüllte, kleinere Strukturen enthalten weniger Wolfram, was zu höherem Kontaktwiderstand führt. Moderne Speicher- und Logikstrukturen benötigen Abscheidungstechniken, die eine vollständige, defektfreie Wolframfüllung ermöglichen, während der Widerstand der Wolframmasse reduziert wird. Gute Schutzfilmabdeckung und geringer Widerstand (relativ zu (Dampf) PVD/CVD-Schutzfilmen) werden benötigt, um die Kontaktfüllung zu verbessern und den Kontaktwiderstand zu vermindern.
Key Customer Benefits
- Branchenmaßstab für die Leistungsfähigkeit bei Wolframfilmen
- Nukleierungsschicht, gebildet mithilfe von Lams Prozess der gepulsten Nukleierungsbeschichtung (PNL) mit ALD und lokaler CVD-Füllmasse, ermöglicht durch die patentierte „Multi-Station Sequential Deposition“-Architektur (MSSD)
- (Insgesamt) geringerer Widerstand der dünnen W-Schichten (Filme) durch den Einsatz von ALD, um die Schichtdicke zu reduzieren und die Grangröße der CVD-Füllmasse zu verändern.
- Niedrig-Fluor-, Niedrig-Spannung-Wolframfüllung für 3D NAND und DRAM
- Hochschrittabdeckung mit reduzierter Schichtdicke (relativ zu herkömmlichem Schichten) durch die Verwendung von ALD in der Abscheidung von WN-Filmen.
Product Offerings Pro
- Concept Two® ALTUS®
- ALTUS® Max
- ALTUS® Max ExtremeFill™
- ALTUS® DirectFill™ Max
- ALTUS® Max ICEFill™
- ALTUS® Max E Series
Key Applications
- Stecker-, Kontakt- und Lochfüllung mit Wolfram
- 3D NAND Wordline
- Spannungsarme Verbundverbindungen
- WN-Schutzfilm für Loch- und Kontakt-Metallbeschichtung