Reliant-Abscheidungsprodukte
Products
Chemische Gasphasenabscheidung (CVD) Chemische Plasma-Gasphasenabscheidung mit hoher Dichte (HDP-CVD) Gepulste Laserabscheidung (PLD) Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD) Reliant Systems
Bei der Herstellung von Chips wird im Rahmen von Abscheidungsprozessen eine Vielzahl von leitenden und isolierenden Materialien auf den Wafer aufgebracht, aus denen die Bauteile und die Verdrahtung eines Halbleiterbauelements bestehen. Für Märkte wie mikroelektromechanische Systeme (MEMS) und Leistungsbauelemente stellen die zahlreichen Funktionsmerkmale und unterschiedlichen Materialien zusätzliche Anforderungen an die Fertigung.
Die Reliant®-Beschichtungsproduktfamilie von Lam unterstützt Roadmaps für Spezialtechnologien und verlängert die produktive Nutzungsdauer von Fabs.
Herausforderungen für die Industrie
In den letzten Jahren hat sich die Halbleiterindustrie auf neue Segmente wie Leistungschips, CMOS-Bildsensoren (CIS), Hochfrequenzfilter (HF) und mikroelektromechanische Systeme (MEMS) ausgedehnt, die eine größere Konnektivität, eine leistungsfähigere Bildgebung und eine Vielzahl anderer marktbestimmter Funktionen ermöglichen. Aufgrund der vielfältigen Anforderungen bei ihrer Herstellung müssen die Beschichtungstechnologien in der Lage sein, zahlreiche Material- und Leistungsanforderungen zu erfüllen.
Wichtige Kundenvorteile
- Flexibilität für ein breites Spektrum von Prozessanforderungen durch Multi-Station Sequential Deposition (MSSD)
- Verbesserte Gleichmäßigkeit der Schicht auf der Waferoberfläche
- Reproduzierbare Schichteigenschaften mit ausgezeichneter Spannungsstabilität
- Hohe Produktivität durch hohen Durchsatz und effizientes Wafer-Handling-Design
- Produktionserprobte Lösungen mit niedrigem CoO-Wert von 150 mm bis 300 mm
Produktangebot
- Concept Two® ALTUS® (200 mm)
- Concept Two® SEQUEL® (200 mm, 150 mm)
- Concept Two® SPEED® (200 mm)
- Pulsus™
- SPEED® Max (300 mm)
- VECTOR® (300 mm, 200 mm)
Hauptanwendungsbereiche
- Wolfram durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD)
- Gap-Fill-Oxid durch hochdichte Plasma(HDP)-CVD
- Silanoxid, -nitrid und -oxynitrid durch plasmaunterstützte CVD (PECVD)
- PECVD TEOS-Oxid
- Gepulste Laserabscheidung (PLD)
- Dotierte Oxide (Bor-Phosphor)