SP-SERIE Produktfamilie
Products
Wet Clean
Für Nassreinigungsschritte, die zwischen Prozessschritten des Packaging und der externen Verdrahtung angewandt werden, gibt es im Bereich des fortschrittlichen Wafer-Level-Packaging (WLP) komplexe Anforderungen. Nassreinigungsprozesse entfernen bestimmte Materialien vollkommen und lassen andere brüchige Strukturen unbeschadet.
Mit einer großen Bandbreite von möglichen Prozessen bieten die Produkte der SP-Serie kosteneffiziente, in der Fertigung bewährte Nassreinigungs-/Nassätz-Lösungen für anspruchsvolle WLP-Anwendungen. Um niedrigere Gesamtbetriebskosten bei bewährter Qualität und Leistung zu erreichen, sind für einige Prozesse ausgewählte Modelle auch über unsere Reliant®-Systeme als generalüberholte Produkte erhältlich.
Herausforderungen für die Industrie
Im Verlauf der fortschrittlichen WLP-Fertigung werden Nassverarbeitungsschritte für mehrere Schlüssel- Anwendungen genutzt, deren Prozessanforderungen stark variieren. Diese Schritte sind anspruchsvoll, da sie in der Lage sein müssen, selektiv und gründlich Rückstände von vielen Oberflächentypen und -formen zu entfernen, einschließlich Bondingpads, Bumps und Silizium-Durchkontaktierungen (TSVs) mit hohem Querschnittverhältnis (HAR). Nassätztechnologien werden auch für WLP-Substratausdünnung und Anwendungen zum Wafer-Spannungsabbau genutzt, die schnelle, jedoch gut steuerbare Vorgänge erfordern. Aufgrund der großen Strukturbreitensind außerdem hoher Durchsatz und niedrige Fertigungskosten wichtig.
Wichtige Kundenvorteile
- Hohe Produktivität und Flexibilität
- Ausgezeichnete Prozessgleichmäßigkeit und -wiederholbarkeit (sowohl auf einzelnen Wafern, von Wafer zu Wafer, und von Los zu Los)
- Anlagenseitiger Schutz durch Bernoulli-Chuck
- Verminderte Betriebskosten durch die Rezirkulation mehrerer Chemikalien
- Flexible Konfiguration: Anlagen mit Einzel, Doppel- oder Vierfachkammern; Handling für ultradünne Wafer mit einem Durchmesser von 150 bis 300 mm
Produktangebot
- SP203L
- SP223
- SP323
Hauptanwendungsbereiche
- Dünnen von Wafern/Spannungsentlastung (stress relief) des Siliziumsubstrates
- Underbump-Metallisierungsätzen
- Nasschemische Fotolackentfernung
- Reinigung nach Lötung/post-deflux clean