Syndion-Produktfamilie

Siliziumtiefenätzen ist ein unverzichtbares Verfahren bei der Herstellung hochentwickelter Chips, die für ein breites Spektrum von Anwendungen genutzt werden, u. a. in Mobilprodukten, bei selbstfahrenden Fahrzeugen und auf dem Versorgungs- und Energiesektor. Dieses Verfahren wird bei der Entwicklung von Bestandteilen mit größeren und höheren Querschnittsverhältnissen eingesetzt, etwa bei Siliziumdurchkontaktierungen und Gräben:

• Siliziumdurchkontaktierungen (TSVs) sind vertikale Strukturen, die elektrische Verbindungen durch einen Die oder Wafer herstellen. TSV – eine Schlüssellösung für Advanced Packaging einschließlich der heterogenen Integration – erfordern eine ausgezeichnete Profilkontrolle, eine hohe In-Wafer-Uniformität und eine hohe Produktivität.
• Die in komplementären Metalloxidhalbleiter(CMOS)-Bildsensoren eingesetzten tiefen Grabenstrukturen stehen vor ähnlichen Herausforderungen, für deren Bewältigung glatte Seitenwandprofile mit strenger Taper-Kontrolle benötigt werden. Ebenso wichtig sind die Tiefengleichmäßigkeit, die Gleichmäßigkeit der kritischen Maße (CD) und die Maskenselektivität.
• Grabenstrukturen in hochentwickelten Leistungshalbleitern mit einem großen offenen Bereich und hohem Querschnittsverhältnis bringen zusätzliche Herausforderungen bzgl. der Profilkontrolle und der Wafer-zu-Wafer-Gleichmäßigkeit mit sich, aber auch hinsichtlich einer Verbesserung der Produktivität für die Großserienfertigung.

Eine Option für das Hesrtellen dieser Strukturen besteht in einem schnellen Wechsel zwischen den Ätz- und Beschichtungsphasen während des Herstellungsprozesses, um dadurch sowohl die Strukturen auszubilden als auch die Seitenwände mit Schichtmaterialien zu schützen. Immer höhere Querschnittsverhältnisse, die Einführung neuer Werkstoffe und strengere Bemaßungsanforderungen beim Herstellungsprozess haben diese Herausforderungen in den letzten Jahren noch anwachsen lassen.

Darüber hinaus müssen sich die Chiphersteller häufig zwischen unerwünschten Scallops – die sich aus dem ständigen Wechsel zwischen Ätz- und Beschichtungsschritten ergeben – und der Ätzgeschwindigkeit entscheiden. Die Größe der Scallops kann zwar reduziert werden, aber das geht auf Kosten der für eine kosteneffiziente Fertigung notwendigen Produktivität.

Die verbesserte Quelle und Ätzkammer-Hardware sowie die ebenfalls verbesserten Prozessfähigkeiten bieten genau die Präzisionslösung, die Chiphersteller brauchen, um Anwendungen im Bereich des Siliziumtiefenätzens zu unterstützen.