- 고급 챔버 디자인으로 낮은 결함도 구현
- 최대 16개 프로세스 챔버로 최적화된 높은 처리량
- 가로세로비가 큰 구조물을 위한 린 프리(Lean-free) 건조 방식
- 독점 기술을 사용한 고효율의 손상 없는 파티클 제거
- 고유한 디스펜싱(dispensing) 기술로 웨이퍼 내 균일도를 보정하여 재료 손실 제어
- EOS®
- 파티클, 폴리머, 잔여물 제거
- 후면/베벨 세정 및 필름 제거
EOS 제품군
Products
Wet Clean
웨이퍼 습식 세정은 칩 가공 단계에서 수율을 제한하는 잔여물과 결함을 제거할 때 사용합니다. 계속되는 소자 확장, 점점 더 복잡해지는 구조와 신소재로 인해 결함 제거 문제가 추가적으로 발생하기 때문에 웨이퍼 세정 생산성도 그만큼 높아져야 합니다.
램리서치의 최신 습식 세정 제품인 EOS®는 매우 낮은 온웨이퍼(on-wafer) 결함도와 높은 처리량을 통해 새로운 3D 구조 등 점차 까다로워지는 웨이퍼 세정 부문의 문제를 해결할 수 있습니다.
Industry Challenges
웨이퍼 세정은 반도체 제조 과정에서 여러 번 반복해야 하는 핵심 기능입니다. 소자의 기하학 구조가 10nm 이하로 작아지고 신소재가 도입되면서 세정 단계가 날로 늘어나고 있습니다. 세정 공정도 복잡해지면서 공정 시간이 길어져 전체 생산성도 높여야 합니다. 추가되는 기술적 문제를 해결할 수 있는 고급 세정 능력이 필요합니다. 예를 들어, 다중 패터닝 방식에서는 건조 시 쓰러짐 현상이 없고 파티클 제거 시 손상이 없어야 합니다. FinFET, 3D NAND, 기타 3D 장치에 재료 손실을 엄격히 제어하는 세정 공정이 필수입니다. 3D NAND 구조에서 웨이퍼 보우 및 응력을 조절하기 위해 웨이퍼 후면 필름 제거 및 프로파일 제어가 필요합니다.