VANTEX 제품군
Products
Reactive Ion Etch (RIE) 극저온 식각
반도체 소자 제조 시 유전체 식각(dielectric etch) 공정에서는 비전도성 물질을 제거합니다. 첨단 메모리 소자는 특히 그 구조가 매우 까다롭습니다. 홀(hole)이나 트렌치(trench) 같은 경우는 깊이가 매우 깊어 엄격한 허용오차를 두고 제조해야 합니다.
램리서치의 최신 유전체 식각 시스템은 성능과 생산성이 매우 뛰어나 가장 핵심적인 고종횡비(high aspect ratio)의 소자 피처(feature)를 만들 수 있습니다. Vantex™는 앞선 RF 기술, 균일도 제어, Equipment Intelligence®를 바탕으로 첨단 메모리 제조 요구사항을 충족합니다.
Industry Challenges
비트당 메모리 단가를 조정하려면 고객들은 여러 개 피처를 동시에 식각하고, 새롭고 복잡한 통합 방식을 구현하는 등 소자 설계의 과감한 수직 스케일링(vertical scaling) 작업에서 여러 가지 문제를 해결해야 합니다. 수직 스케일링은 새로운 깊이로 식각해야 하는데, 이때 소자의 측면 밀도를 동일하게 유지하려면 피처 CD도 동일하게 유지해야 합니다. 이온 각도가 조금만 달라져도 피처의 위치가 크게 달라져 소자 수율이 감소하기 때문에 식각의 수직 방향성이 매우 중요해졌습니다. 여러 번의 식각으로 비용을 절감하려면 이 기능은 CD와 형상(shape)이 서로 다른 피처에서 동시에 이루어져야 합니다. 고객들의 고급 통합 방식 때문에 여러 물질이 노출되는 통합성이 증가하여, 선택비(selectivity) 제어도 그만큼 향상되어야 합니다.
Key Customer Benefits
- 정밀 CD 제어와 선택비를 통한 최고 종횡비 식각
- 최고 식각율과 제어에 의한 생산성 극대화
- 첨단 Equipment Intelligence로 반복성이 뛰어난 웨이퍼 간 성능 구현
Product Offerings Pro
- Vantex™
Key Applications
- 3D NAND 고종횡비 홀, 트렌치, 컨택
- 커패시터 셀