- 行业领先的技术和缺陷水平,快速原子层沉积周期和 “原子层沉积速率” 组件、软件和控件,缩短了加工时间
- 可在超宽温度范围根据应用调薄膜的机械及电性能
- 多种化学反应能力,支持薄膜掺杂和原位掩膜修剪
- 密闭无损伤保形垫层
- 高选择性、低湿刻蚀级薄膜
- 经过生产验证的多点静态沉积架构,具有最佳的产率和持有成本
- Striker®
- Striker® FE
- 间隙填充介电材料
- 适形衬垫
- 侧壁和掩膜图案化
- 密闭封装
- 刻蚀截止层
- 光学薄膜
Industry Challenges
半导体行业继续推动逻辑、存储器和图像传感器芯片的小型化发展,以实现更高的处理速率、更大的数据存储容量、更快的模式识别速度。基于全新结构缩微方法的3D架构的出现则推动着芯片制造不断创新。为了实行这些方法,沉积工艺必须提供适用于关键解决方案的超薄、共形介电薄膜,以实现先进图形化、降低电容、出色的电气隔离、无损伤密闭封装等目标。设备制造商已经开始转向原子层沉积技术——逐层沉积薄膜,不受结构大小和图案密度限制——以提供所需的片上效果。与此同时,提供制造环境所需的产率也是一项关键要求。