选择性刻蚀产品系列

对密度日益增加的高性能节能半导体的需求正在推动新的技术拐点出现，以支持先进逻辑和存储芯片的开发。 随着 FinFET 器件开始达到其微缩极限，领先的芯片制造商正在向环栅 (GAA) 或纳米片结构过渡。 在存储器方面，NAND 闪存已经成功过渡到三维结构——动态随机存取存储器 (DRAM) 预计很快就会跟随这一趋势。

这些技术拐点需要采用一种三维方法来制造芯片，而这种方法需要选择性地和各向同性地（或者说在所有方向上一致地）从晶圆表面去除材料。 为了实现这一目标，芯片制造商需要新的非常复杂的制造技术来执行以前无法想象的工艺，例如需要埃米级精度的纳米级特征的纵向和横向雕刻，以避免在刻蚀过程中去除、改性或损坏其他关键材料层。

泛林集团突破性的一系列选择性刻蚀解决方案提供开发和制造 3D 先进逻辑和存储芯片结构所需的超高选择性和精密刻蚀能力。