行业挑战
硅片清洗是一个必须在半导体制造过程中重复执行多次的重要步骤。随着器件尺寸降至10 nm以下以及新材料的引入，清洗步骤的数量以惊人的速度持续增加。越来越复杂的清洗工艺使得流程时间变长，迫切需要提高整体生产效率。为了应对其他技术挑战，需要先进的清洗能力。例如，多重图形的方法要求干燥过程不能造成崩塌，颗粒移除过程不能造成损伤。可以严密控制材料损失的清洗流程对FinFET、3D NAND和其他3D结构至关重要。
主要客户利益
- 利用先进的反应腔设计实现低缺陷率
- 优化的高产率，最多支持16个工艺腔
- 面向高深宽比结构的无倾斜干燥技术
- 利用专有技术实现高效、无损伤颗粒移除
- 独一无二的喷嘴设计，硅片内均匀度调谐，有效控制材料损失
产品
- EOS®
主要应用
- 颗粒、聚合物和残留物清除
- 背面/斜面边缘清洗和薄膜移除