行业挑战
随着半导体行业转向超浅结、多重图形化、超低k介电和3D架构，光刻胶去胶工艺需要有效地处理更复杂的器件结构。在晶体管层面，去胶工艺引起的薄膜微小变化会影响结电阻率、结深和掺杂剂活化，从而影响器件的性能。对于互连结构，低k介电属性不必要的变化也会对性能造成影响。光刻胶清除也会对先进存储器应用中使用的材料造成不利影响。这些问题将推动面向先进技术节点的新型去胶工艺的发展。其面临的挑战包括：清除残留物；最大限度减少氧化和硅损失；不造成损伤；同时还要具有高产率和低持有成本。
主要客户利益
- 多站点顺序工艺 (MSSP) 架构可独立控制温度、射频功率和化学反应；借助该架构，可以在同一平台上执行多个工艺步骤，并使灵活性和产率达到最佳水平。
- 增强的源技术与更快的硅片加热技术相结合，可使结果无残留且具有高通量，适用于批量去胶和植入去胶应用
- 基于单个系统，具有超低缺陷率，支持多种应用和化学物质
产品
- GAMMA® xPR
- GAMMA® GxT®
主要应用
- 高剂量注入去胶 (HDIS)
- 批量去胶
- 浮渣清除