Industry Challenges
随着先进半导体制造技术结合新型介电薄膜以提升器件性能，需要创新性工艺来确保薄膜的完整性。低介电常数（k）绝缘薄膜是持续小型化的关键。然而，会降低薄膜k值的高碳含量和多孔特性也使薄膜变得脆弱，很容易受损。另外，刻蚀、灰化/去胶、湿法清洗等工艺步骤会损坏低k材料，并通过碳损失、水份吸收等作用增大有效k值。因此，需要创新性UVTP工艺来提高薄膜的强度，移除会产生孔的前体（致孔剂），确保低k薄膜的完整性。利用UVTP还可以提高前段工艺（FEOL）氮化物层的应变，增强器件的性能。
Key Customer Benefits
- 首屈一指的薄膜属性，硅片内和硅片间均一性，高产率
- 通过专有处理工艺（暴露于紫外光、气体和蒸汽及加热等）修正后，可改善已沉积薄膜的物理特性
- 借助多点序列沉积（MSSP）架构，通过在硅片制造路径各个点独立控制温度、波长和强度，提供工艺灵活性
Product Offerings Pro
- SOLA® Excel
Key Applications
- 氮化物薄膜应力处理