行业挑战
在整个先进硅片级封装制造序列中，多个在工艺要求方面大相径庭的关键应用采用湿法处理步骤。这些步骤实施起来非常困难，因为它们必须能够选择性地从许多包括焊盘、凸块以及高深宽比（HAR）硅通孔（TSV）在内的表面类型和结构形状上彻底移除残余物。湿法刻蚀技术也适用于硅片级封装衬底减薄和硅片应力消除应用，这类应用需要速度快但控制良好的工艺。另外，由于机构尺寸较大，高产率和低成本制造至关重要。
主要客户利益
- 高产率和高灵活性
- 可在硅片本身、不同硅片间以及不同批次间实现出色的工艺统一性
- 通过伯努利（Bernoulli）夹头实现器件端保护
- 多种化学物质回收利用，可降低运营成本
- 配置极其灵活，单腔、双腔和多腔工具，具有150 mm至300 mm硅片的超薄衬底处理能力
产品
- SP203L
- SP223
- SP323
主要应用
- 硅衬底减薄/应力消除
- 球下金属化刻蚀
- 光刻胶清除
- 去除助焊剂后清洗