Syndion 产品系列

反应离子刻蚀（RIE）深反应离子刻蚀（DRIE）

深硅刻蚀是指基于等离子体的工艺，用于去除硅，创造出比先进晶体管和存储元件中的特征大许多数量级的特征。泛林集团的

Syndion^® 产品系列经过优化，提供深硅刻蚀，具有实现精度所需的深度和跨晶片均匀性控制。

深硅刻蚀是制造用于驱动各种应用的先进芯片的关键工艺，包括移动设备、智能汽车、电网和能源部门。它用于创建更大的和更高纵横比的特征，例如硅通孔和沟槽：

硅通孔 (TSV) 是通过管芯或晶圆建立电气连接的纵向结构。 TSV 是一个用于先进封装的关键解决方案，包括异构集成，需要出色的轮廓控制、高晶圆内均匀性和高生产率。
互补金属氧化物半导体 (CMOS) 图像传感器所使用的深沟槽结构面临着类似的挑战，需要平滑的侧壁轮廓和严格的锥度控制。深度均匀性、CD 均匀性和掩模选择性是也必不可少的。
先进功率器件中的大开口面积和高纵横比沟槽结构在控制横向晶圆的轮廓和均匀性以及提高大批量制造的生产率方面提出了额外的挑战。

创建这些结构的一种方法是在制造过程中在刻蚀和沉积步骤之间快速切换，从而在壁上雕刻特征和分层放置材料以保护它们。然而，近年来，由于越来越高的纵横比、新材料的引入以及制造过程中更严格的尺寸要求，这变得更具挑战性。

此外，芯片制造商通常必须在不需要的扇形（由交替刻蚀和沉积步骤产生的特征）和刻蚀速率之间做出选择。扇形尺寸可以减小，但代价是成本效益制造所需的生产率。

Syndion 的增强源、腔室硬件和工艺能力为芯片制造商提供了支持深硅刻蚀应用所需的精密解决方案。