- 极佳的薄膜质量,出色的硅片内和硅片间均匀性
- 首屈一指的产率和低持有成本
- 独立于薄膜沉积的专有硅片加热技术,提供高质量薄膜且缩短了加工时间
- 多点序列沉积(MSSD)架构,工艺灵活性高,适于多种应用
- 已经过优化的平台,可满足具体的流程需要:占用面积小、产率高、灵活的模块化配置,符合薄膜处理前后的要求
- VECTOR®
- VECTOR® TEOS
- VECTOR® AHM®
- VECTOR® MD
- VECTOR® Strata®
- 硬掩膜
- 防反射层(ARL)
- 钝化层
- 扩散阻挡膜
- 3D NAND多层叠层薄膜
- 双重和四重图案化层的核心层
- 金属间层
VECTOR产品系列
Products
介电薄膜沉积工艺用于形成半导体器件中一些最难生产的绝缘层,包括最新晶体管和3D结构中使用的绝缘层。在某些应用中,这些薄膜需要紧贴精密结构周围。其他应用则要求介电薄膜非常光滑且无缺陷,因为即使微小的瑕疵也可能在后续各层中被大幅放大。
泛林VECTOR® PECVD产品具有出色的性能和灵活性,可为各种极具挑战性的器件应用打造出所需的结构。针对某些应用,我们的Reliant® 翻新产品系列推出一些特定型号,以更低的持有成本提供与新系统相同的质量保证和性能。
Industry Challenges
随着先进半导体构件尺寸持续缩小,许多关键的工艺步骤依赖于沉积超高质量的介电材料——采用的薄膜需要平滑且无孔洞,并且符合精确的厚度、构件覆盖率、机械应力和电气要求。PECVD技术通常用于这些工艺当中。例如,在3D NAND设计中,原位PECVD沉积最多96对交替薄膜层,需要精确控制每一层的应力和缺陷率,同时还要沉积出完全平坦的多层结构。另一个关键应用是硬掩膜——牺牲层,当常规掩膜失效时能够实现精确的图案化。它需要非常光滑且均匀的薄膜,以避免多次处理时出现复合误差,并且在超高深宽比的构件中,良好的薄膜机械强度有助于防止线图崩塌。为了解决这些多种多样且极具挑战性的问题,沉积设备必须极其灵活,可满足各种工艺应用的需要,同时还能维持高产率和低成本。