Industry Challenges
在半導體製造過程中，晶圓清洗是必須重複多次執行的重要功能。隨著元件幾何微縮到10 奈米以下，且不斷引進新的材料，清洗步驟的次數便持續急速地增加。日益複雜的清洗過程延長了處理時間，因而推升了更高整體生產力的需求。業界需要先進的清洗能力，以克服更多的技術挑戰。舉例來說，多重曝光(multiple patterning)技術需要無崩塌(collapse-free )乾燥與無損壞(damage-free )的微粒去除。對 FinFET、3D NAND 以及其他的3D元件來說，嚴格控制材料耗損的清洗過程至關重要。為了調節3D NAND結構中的晶圓曲度和應力，晶背薄膜去除和輪廓控制是必要的。
Key Customer Benefits
- 先進的腔體設計，可實現極低的缺陷率
- 最多擁有16個處理腔體，可提供最佳化的高生產量
- 採用專有技術的高深寬比結構用無傾倒(Lean-free)乾燥
- 高效的溶劑化學回收，可實現最低的擁有成本
- 晶背薄膜去除輪廓調整控制，採用獨特的卡盤(chuck)技術
Product Offerings Pro
- EOS®
Key Applications
- 微粒、聚合物和殘留物去除
- 晶背/晶邊清洗與薄膜去除