- 多站序列式沉積製程(MSSD)可靈活滿足各種製程要求
- 增強整個晶圓表面的薄膜均勻度
- 薄膜特性可再現,應力穩定性極佳
- 高生產量和高效率晶圓處理設計帶來高生產力
- 經過生產驗證的低 CoO 解決方案,尺寸範圍從 6吋到12吋晶圓
- Concept Two® ALTUS® (8吋)
- Concept Two® SEQUEL® (8吋、6吋)
- Concept Two® SPEED® (8吋)
- Pulsus™
- SPEED® Max (12吋)
- VECTOR® (12吋、8吋)
- 化學氣相沉積(CVD)鎢
- 高密度電漿(HDP)-CVD 填隙氧化物
- 電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)矽烷氧化物、氮化物和氧氮化物
- PECVD TEOS 氧化物
- 脈衝雷射沉積(PLD)
- 摻雜氧化物(硼磷)
Reliant 沉積產品
Products
Reliant 系統 化學氣相沉積(CVD) 脈衝雷射沉積(PLD) 電漿輔助化學氣相沉積(PECVD) 高密度電漿化學氣相沉積(HDP-CVD)
在整個晶片製造過程中,沉積製程在晶圓上鋪設各種導電和絕緣材料,幫助形成半導體裝置的元件和線路。 對於微機電系統(MEMS)和功率元件等市場,眾多的特徵形狀和不同的材料涉及進一步的製造要求。
科林研發的 Reliant® 沉積產品系列實現了特殊製程藍圖,並延長了晶圓廠的生產壽命。
行业挑战
近年來,半導體產業已擴展到電源晶片、CMOS 影像感測器(CIS)、射頻(RF)濾波器和微機電系統(MEMS)等新的市場,從而實現了更強的連接性、更強大的影像功能以及其他因應市場需求的功能。 由於其製造過程中的多樣性要求,沉積技術必須能夠滿足多種材料和效能需求。