Industry Challenges
隨著先進半導體製造技術採用新的介電層薄膜來提升元件效能，業界需要創新技術來確保薄膜的完整性。具低介電值(k)的絕緣薄膜是半導體持續微縮的關鍵。然而，高含碳量和具多孔性(porosity)的低介電值薄膜非常脆弱，且容易受損。此外，像是蝕刻、光阻去除、以及濕式清洗等製程步驟都會損壞低介電值材料，並可能由於過程中的含碳量損失或吸附水分而使有效k值增加。因此，需利用創新的紫外線熱處理(UVTP)技術來強化薄膜的機械強度、去除會產生孔隙的前驅體 (porogens)，以確保低介電值薄膜的完整性。UVTP還能用來增加前段製程(FEOL)氮化矽薄膜的應變，以強化元件效能。
Key Customer Benefits
- 業界最佳的薄膜特性、單片晶圓與多片晶圓均勻度，以及生產力
- 透過專屬的處理製程(暴露於紫外線、氣體、蒸氣和熱之下)，可提升先前已沉積薄膜的物理特性
- 透過多站序列式處理(MSSP)架構，可在晶圓製程的各站點獨立控制溫度、波長和放射強度(intensity)，以保持製程的靈活性
Product Offerings Pro
- SOLA® Excel
Key Applications
- 低介電值(low-k)薄膜處理
- 應變(strained)氮化矽薄膜處理