行业挑战
在先進晶圓級封裝(WLP)的整個製造過程中，有數個關鍵應用需採用濕式清洗步驟，但它們的製程需求有很大的差異。這些步驟的挑戰性極高，因為它們必須能夠選擇性、且徹底地去除不同表面型態以及結構形狀上的殘留物，包括銲墊(bonding pad)、凸塊(bump)、高深寬比(HAR)的矽穿孔(TSV)。濕式蝕刻技術也會用於WLP基板薄化與晶圓應力消除應用，這些應用要求快速運作、且良好控制的製程。此外，由於結構尺寸較大，高生產量與低成本製造也很重要。
主要客户利益
- 高生產力與靈活性
- 單片晶圓、多片晶圓、以及批與批晶圓間的優異製程均勻度
- 利用伯努利夾具(Bernoulli chuck)提供元件端保護(device-side protection)
- 多種化學液可過濾後循環使用，以降低運作成本
- 針對150 mm 至300mm尺寸的超薄晶圓輸送，提供單座、雙座和多座腔體機台的配置彈性
產品
- SP203L
- SP223
- SP323
主要应用
- 矽基板薄化/應力消除
- 凸塊底層金屬(Underbump metallization)蝕刻
- 光阻去除
- 去焊劑後的清洗(post-deflux clean)