Syndion 系列產品

反應離子蝕刻（RIE）深反應離子蝕刻（DRIE）

深矽晶蝕刻是指去除矽晶的電漿蝕刻製程，製作的結構可能比高級電晶體和記憶體儲存單元中的結構要大許多量級。

Lam Research 的 Syndion^® 系列產品進行了最佳化設計，可提供具有實現精密蝕刻所需的深度與整片晶圓均勻度控制的深矽晶蝕刻製程。

深矽晶蝕刻 (deep silicon etch) 是製造進階晶片的關鍵製程，可為行動裝置、智能型汽車、電力輸送網及能源產業等廣泛應用提供動力。其用於製作更大型且更高的深寬比結構，例如矽穿孔和溝槽：

矽穿孔 (TSV) 是可透過晶粒或晶圓建立電氣連接的垂直結構。作為進階封裝的關鍵解決辦法（包括異質整合），矽穿孔 (TSV) 需要卓越的輪廓控制、高晶圓內均勻度及高生產力。
用於互補式金屬氧化物半導體 (CMOS) 影像感測器的深溝槽結構面臨著類似的挑戰，需要具有嚴格錐度控制的平滑側壁輪廓。深度均勻度、關鍵尺寸 (CD) 均勻度及掩模選擇性同樣至關重要。
進階功率元件中的大開口面積和高深寬比溝槽結構，在控制整片晶圓的輪廓和均勻度以及提升大批量製造的生產力方面提出了更大的挑戰。

製作這些結構的一種方式是在製程期間快速地在蝕刻與沈積程序之間切換，因此可蝕刻此結構並在側壁上沉積材料，來保護這些結構。然而，近年來由於越來越高的深寬比、新材料的採用以及製程中更加嚴格的尺寸要求，製作變得更具挑戰性

此外，晶片製造廠商通常必須在有缺陷的扇形（Scallop）尺寸（由於交替蝕刻和沈積程序產生的特徵）和蝕刻率之間做出選擇。扇形（Scallop）尺寸可以減小，但需要降低具成本效益製造所需的生產力。

Syndion 的增強源、腔體硬體和製程能力可提供晶片製造廠商需要的精密解決辦法，以支持深矽晶蝕刻應用。