- 在最小的佔位面積上實現完全模組化-可擴展平台,以支援不斷增長的需求
- 3 吋至 12吋晶圓製程,平面面板處理最大尺寸為 300x300 公釐
- 在一個平台上處理不同尺寸的基板
- 獲得專利的高速電鍍技術
- 電鍍和蝕刻一致效能
- 終點監測,確保最高產品品質
- 可用於線上配料和化學監測系統(內部/外部)
- 根據所需製程和晶圓廠環境自訂機台佈局
- Triton CX
- Triton CM
- 在凸塊、銅柱、銲墊、RDL、TSV、FLI 上電化學沉積銅、鎳、錫銀、金及其他金屬
- 去電鍍
- 金屬蝕刻、UBM 蝕刻、氧化物蝕刻
- 背晶晶邊蝕刻
- 光阻移除、光阻顯影
Industry Challenges
為了滿足未來的先進晶片佈局,新技術需要能夠支援持續微縮的特徵設計。 在生成互連層的同時,先進的電鍍解決方案確保了無缺陷的金屬化。
隨著線寬的縮小,阻障層/晶種子層不斷變薄,這就要求對製程進行越來越嚴格的控制,以實現足夠的自下而上的填充率,同時保護晶種層。 單一邏輯層中的特徵幾何形狀範圍很廣,這就需要一個寬廣的製程容許範圍,以確保在深寬比、晶種覆蓋率和密度變化較大的情況下對結構進行適當填充。