VECTOR系列產品
Products
介電層薄膜沉積製程是用來形成半導體元件中最難製造的絕緣層，包括最新電晶體與3D結構中所使用的絕緣層。在某些應用中，這些薄膜需要均勻一致地緊密貼合在複雜的結構周圍。其他的應用則要求介電層薄膜非常平滑且無缺陷，因為即使是輕微的缺陷，都會在後續的薄膜層上被顯著地放大。
Lam Research的 VECTOR® PECVD產品是專為提供所需的效能與靈活性所設計，以便能在各種嚴苛的元件應用中產生這些複雜結構。針對某些應用，透過我們的Reliant®系統還可選擇一些機型作為整修產品，能以較低的擁有成本提供與新系統相同的品質保證與效能。
行业挑战
隨著先進半導體中的特徵尺寸持續微縮，許多關鍵的製程步驟需依賴品質極高的介電層沉積 ─平滑、確實符合厚度的無孔隙薄膜、特徵結構覆蓋、機械應力和電性要求。PECVD技術通常用於這些製程。例如，在3D NAND設計中，遠超過100對交替薄膜層的原位(in-situ) PECVD沉積需要能夠緊密控制每個單獨層的應力和缺陷，同時沉積出完美平坦的多層結構。另一個關鍵應用是硬式罩幕(hardmask )薄膜 – 可犧牲去除層(sacrificial layer)，當傳統光罩失效時，可用硬式罩幕來實現精確曝光。在這裡，需要超平滑和均勻的薄膜，以避免多次步驟後產生的複合誤差，而良好的薄膜機械強度有助於避免線型圖案在非常高的深寬比結構中崩塌損壞。為了滿足這些多樣化、且高難度的要求，沉積設備必須能為各種製程應用提供靈活性，並保持高生產力和低成本製造。
主要客户利益
- 優異的薄膜品質，以及卓越的單片晶圓和多片晶圓均勻度
- 業界最佳的生產力與低擁有成本
- 透過獨立於薄膜沉積的專屬晶圓加熱技術，可實現高品質的薄膜並縮短製程處理時間
- 透過多站序列式沉積 (MSSD)架構，可為各種不同應用提供製程靈活性
- 符合特定製程需求的最佳化平台：佔地面積小、生產量高、靈活的模組化配置，適用於薄膜前後處理製程
產品
- VECTOR®
- VECTOR® TEOS
- VECTOR® AHM®
- VECTOR® MD
- VECTOR® Strata®
主要应用
- 硬式罩幕(Hardmask)薄膜
- 防反射層 (ARL)
- 鈍化層 (Passivation layers)
- 擴散阻障層 (diffusion barrier)
- 3D NAND的多層堆疊薄膜
- 雙重與四重曝光(quadruple patterning )層的核心層
- 金屬間(Inter-metal)層
- 全晶圓應力管理層