Interconnect Solutions | Our Solutions | Lam Research

互連解決方案

Interconnect

互連構成了複雜的佈線,用來連接晶片上數十億個獨立單元,包括電晶體、電容等。隨著越來越小的元件緊密地放置在一起,因此也需要更多的互連層,這使連結晶片上的所有單元也越來越具挑戰性。事實上,隨著特徵結構尺寸的持續微縮,互連結構已成為現今最先進晶片的速度瓶頸。因此,需要開發能把金屬連接的電阻降至最低的技術以及創新的介電材料,以提升其絕緣能力。為了生產最先進的高效能電子元件,先進的互連結構涉及狹窄的幾何與複雜的薄膜層,需要更靈活、更精密的製程功能來實現。


互連

解決方案

ALTUS系列產品

Atomic Layer Deposition (ALD) 化學氣相沉積(CVD)

結合化學氣相沉積(CVD)和原子層沉積(ALD)技術,這些領先市場的系統可為先進的鎢金屬化應用沉積出所需之高度均勻一致的(conformal)薄膜。

CORONUS系列產品

Plasma Bevel Etch and Deposition

Coronus 系統專注於晶圓邊緣,以提高產品良率。半導體製程會導致殘留物和微粗糙沿著晶圓邊緣積聚,它們可能會剝落、漂移到其他區域並產生導致元件失效的缺陷。Coronus 刻蝕產品可去除邊緣殘留物,Coronus 沉積可保護晶圓邊緣不受損害。

Coventor Product Family

電漿建模 半導體製程建模

Our semiconductor process modeling software (SEMulator3D) and plasma modeling software (OverViz) perform predictive modeling of etch, deposition, plasma & other processes, to identify problems prior to fabrication.

DV-PRIME和DA VINCI 產品

濕式清洗

這些產品提供了高生產力所需的製程靈活性,可在整個製造流程中實現各種晶圓清洗步驟。

EOS系列產品

濕式清洗

Lam Research的先進濕式晶圓清洗產品可提供極低的晶圓缺陷率以及優異的生產量,以解決日益嚴苛的晶圓清洗應用需求。

FLEX系列產品

Atomic Layer Etch (ALE) 反應離子蝕刻(RIE)

Lam Research的介電層蝕刻系統具備應用導向功能,可用來建構先進元件中的各種高難度結構。

GAMMA系列產品

Dry Strip

這些產品可為各種關鍵的光阻去除應用提供所需的製程靈活性。

KIYO系列產品

反應離子蝕刻(RIE)

Lam Research領先市場的導體蝕刻產品能以高生產力提供形成關鍵導體結構所需的高效能精度與控制。

METRYX系列產品

Mass Metrology

Lam Research的質量測量系統可為3D 元件結構的先進製程監控提供次毫克級(sub-milligram)的質量測量能力。

OverViz

電漿建模

OverViz™ 是一個用於電漿放電高真實性建模的工業模擬軟體平台。

Reliant 沉積產品

Reliant 系統 化學氣相沉積(CVD) 脈衝雷射沉積(PLD) 電漿輔助化學氣相沉積(PECVD) 高密度電漿化學氣相沉積(HDP-CVD)

我們的 Reliant 沉積產品可實現特殊製程藍圖,並延長晶圓廠的生產壽命。

Reliant 清洗產品

Reliant 系統 濕式清洗/光阻去除/蝕刻

我們的 Reliant 清洗產品可實現特殊製程藍圖,並延長晶圓廠的生產壽命。

Reliant 蝕刻產品

Reliant 系統 反應離子蝕刻(RIE) 深反應離子蝕刻(DRIE)

我們的 Reliant 蝕刻產品可實現特殊製程藍圖,並延長晶圓廠的生產壽命。

SABRE系列產品

電化學沉積 (ECD)

此系列產品可在生產力領先業界的ECD平台上提供銅鑲嵌(damascene)製程所需的精密金屬電鍍功能。

SEMulator3D

半導體製程建模

SEMulator3D® 是一個半導體製程建模平台,具有廣泛的技術開發能力。

SENSE.I系列產品

Deep Reactive Ion Etch (DRIE) 反應離子蝕刻(RIE)

採用緊湊、高密度的結構設計,Lam Research突破性的Sense.i™平台具備無與倫比的系統智慧,能以最高生產力實現製程效能。

SOLA系列產品

Ultraviolet Thermal Processing (UVTP)

此系列產品可提供專用的沉積後處理技術,以提升先進薄膜應用的物理特性。

SPEED系列產品

高密度電漿化學氣相沉積(HDP-CVD)

這些介電層沉積產品可為高深寬比間隔提供完整的間隙填充,並具備業界領先的生產量與可靠度。

Syndion 系列產品

反應離子蝕刻(RIE) 深反應離子蝕刻(DRIE)

對於深蝕刻應用,該產品系列提供了實現關鍵高深寬比結構所需的卓越整片晶圓均勻度控制。

VECTOR系列產品

電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)

Lam Research的 PECVD產品能以高生產力為各種元件應用提供精密的介電層薄膜沉積。

VERSYS METAL 系列產品

反應離子蝕刻(RIE)

這些金屬蝕刻產品能以高生產力為電性連接和金屬硬式罩幕應用提供優異的製程控制能力。

選擇性蝕刻産品系列

Selective Etch 選擇性蝕刻

突破性的産品組合可提供埃米等級的精密度和超高選擇性、等向性材料的去除能力,以滿足3D結構和先進邏輯晶片與晶圓製造應用需求。

Related Blog Posts

  • Will Moly Replace Tungsten in Semiconductors?

    Feb 1, 2024

    To keep pace with Moore's Law and enable greater interconnect scaling, the semiconductor ecosystem is continually experimenting with variations of materials. Tungsten has been the interconnect metal of choice for nearly a quarter century in NAND, DRAM,​ and logic/foundry middle-of-line applications. But scaling requirements are now pushing the boundaries of what is possible with tungsten. A variety of metals are being considered, but one — molybdenum — is an especially promising candidate. At the atomic dimensions required for advanced chipmaking, moly is emerging as the most suitable material to replace tungsten, creating a major inflection in the industry.

  • A Deposition and Etch Technique to Lower Resistance of Semiconductor Metal Lines

    Mar 22, 2023

    Cu’s resistivity depends on its crystal structure, void volume, grain boundaries and material interface mismatch, which becomes more significant at smaller scales. The formation of Cu wires is traditionally done by etching a trench pattern in low-k silicon dioxide using a trench etch process, and subsequently filling the trench with Cu via a damascene flow. Unfortunately, this method produces multi-crystalline structures with significant grain boundaries and voids, which increases the Cu wire resistance. A highly resistive TaN liner material is also utilized in this process to prevent Cu diffusion during the damascene annealing process.

circle-arrow2circle-arrow2facebookgooglehandshake2health2linkedinmenupdfplant2searchtwitteryoutube