金屬化 - Lam Research

我們已經進入人工智慧（AI）時代，這是一個極其複雜的時代，需要半導體產業實現變革和突破性創新。對更先進計算能力的需求正在大幅增加，現今的晶片製造商正在規模競爭中，不斷突破可能的界限。

隨著 NAND、DRAM 和邏輯特徵要求的變化，當前需要不同的沉積技術。傳統的金屬化製程無法滿足這些微縮的要求，因此業界正將鉬（Molybdenum）金屬化運用在三種先進 IC 類型中。

有關鉬的具體情況

人們正在考慮各種金屬，但鉬最具發展前景，因為它符合先進記憶體和邏輯晶片所需的原子尺寸。採用鉬的一個常見驅動因素是其薄膜電阻率，這是金屬元件微縮所必需的。

不像鎢（Tungsten）和許多其他金屬，鉬不需要附著層或阻障層來防止漏電流，從而避免電氣短路。這有助於簡化製程，並透過省去額外的步驟和設備來降低成本。

鉬可運用於原子層沉積的技術，以便更好地填充在元件特徵上。或者，可使用非氟化鹵化物來沉積鉬，以避免在某些在鎢應用中造成的介電層損壞。此外，鉬回蝕和化學機械平坦化（CMP）製程是採用已知的化學品和設備來完成的，以便更快整合到晶圓廠製程流程。

但是，若要使用原子層沉積設備讓鉬在製造中變得可行，則需要進行重大創新。這些挑戰包括：

科林研發正在引領原子層沉積領域創新的開發，以推動鉬的普及。透過充分運用深厚的知識和研究、設備設計、單元製程效能，以及跨元件和應用的整合，我們推出了最新的原子層沉積技術創新，ALTUS® Halo。

ALTUS

ALTUS^® Halo 基於目前科林研發最多 3D NAND 字元線金屬化的設備安裝量，持續支援晶片製造商為未來進行創新。我們值得信賴的新一代 ALTUS 產品線為 3D NAND、DRAM 和邏輯晶片提供了解決方案。