配線工程はチップ上の何10億個もの回路素子（トランジスタやコンデンサなど）を繋ぐために複雑な層間配線を形成する物です。チップ上の素子密度が高まるにつれ、全てを正しく繋ぐのに必要な配線層も増えるので、生産工程は難しくなります。現実問題として、微細化による寸法の縮小により、最先端のデバイスにおいては配線がチップの処理速度を遅くする要因になってきています。そのため、メタル接合の電気抵抗を低減する技術や、絶縁性能を高めるための新たな誘電体材料が必要になってきています。 最先端の高性能電子デバイスで採用される配線構造は極めて微細な構造で、しかも複雑な薄膜層を使います。そのため、柔軟性が高く、精密なプロセス能力が必要です。
配線工程
ラムリサーチのソリューション
ALTUSシリーズ製品
Atomic Layer Deposition (ALD) 化学気相成長（CVD）
CVD技術とALD技術を組み合わせることで、先進的なタングステンメタライゼーション用途の高度なコンフォーマル金属膜を成膜します。
CORONUSシリーズ製品
Plasma Bevel Etch and Deposition
半導体製造工程全体の歩留まりを向上させるためにCoronus システムはウェハのベベルエッジに着目しました。半導体製造工程を通じてウェハエッジ部には残渣や残膜 やラフネスが蓄積します。これが剥がれ落ちて他の場所に付着すると欠陥となり、デバイス不良を引き起こす原因なります。Coronus エッチはベベルの残渣を除去し、Coronus デポジションはベベルをダメージから保護する製品です。
Coventor Product Family
プラズマモデリング 半導体プロセスモデリング
Our semiconductor process modeling software (SEMulator3D) and plasma modeling software (OverViz) perform predictive modeling of etch, deposition, plasma & other processes, to identify problems prior to fabrication.
DV-PRIME & DA VINCI シリーズ
ウェットクリーニング
これらの製品は製造工程全体にわたる複数のウェハクリーニングステップにおいて求められる高い生産性と柔軟性を実現するプロセスを提供します。
FLEX シリーズ製品
Atomic Layer Etch (ALE) リアクティブ・イオンエッチング（RIE） 極低温エッチング
ラムリサーチの酸化膜エッチシステムは、先進のデバイスに求められる複雑な構造を備えた幅広いアプリケーションに配慮した機能を提供します。
KIYO シリーズ製品
リアクティブ・イオンエッチング（RIE）
業界をリードするコンダクターエッチング製品は、クリティカルなデバイス機能に必要な高精度と高い生産性での制御を実現します。
METRYX シリーズ製品
Mass Metrology
ラムリサーチの質量計測システムは、高度なプロセス監視と3次元デバイス構造の制御により、サブミリグラムレベルの計測能力を提供します。
OverViz
プラズマモデリング
OverViz™は、プラズマ放電を忠実にモデリングするための産業用シミュレーションソフトウェア・プラットフォームです。
RELIANT クリーニング製品
RELIANT システム ウェットクリーニング/ストリップ/エッチング
ラムリサーチの RELIANTクリーニング製品は、スペシャルティ・テクノロジーのロードマップを実現し、ファブの生産寿命を延ばします。
RELIANTエッチング製品
RELIANT システム ディープリアクティブ・イオンエッチング（DRIE） リアクティブ・イオンエッチング（RIE）
当社の RELIANT エッチング製品は、スペシャルティ・テクノロジーのロードマップを実現し、ファブの生産寿命を延ばします。
RELIANT成膜製品
RELIANT システム パルスレーザー堆積（PLD） プラズマ化学気相成長（PECVD） 化学気相成長（CVD） 高密度プラズマ化学気相成長（HDP-CVD）
RELIANT 成膜製品は、スペシャルティ・テクノロジーのロードマップを実現し、ファブの生産寿命を延ばします。
SEMulator3D
半導体プロセスモデリング
半導体プロセスモデリング・プラットフォーム SEMulator3D® は広範囲にわたる技術開発環境を提供します。
SENSE.I製品
リアクティブ・イオンエッチング（RIE）
私たちの最新エッチング装置のプラットフォームは、最高の生産性でプロセスパフォーマンスを提供するコンパクトで高密度のアーキテクチャで比類のないシステムインテリジェンスを実現します。
SPEED シリーズ製品
高密度プラズマ化学気相成長（HDP-CVD）
これらの酸化膜成膜製品は、業界最高のスループットと信頼性を備えた高アスペクト比スペースの完全なギャップフィル機能を提供します。
Syndion製品ファミリー
ディープリアクティブ・イオンエッチング（DRIE） リアクティブ・イオンエッチング（RIE）
ディープエッチング用途では、高アスペクト比の重要な形状に必要な卓越したウェーハ全体にわたる均一性制御を提供します。
VECTOR シリーズ製品
プラズマ化学気相成長（PECVD）
ラムリサーチ社のPECVD製品ファミリーは、幅広いデバイスアプリケーションに対応した高い生産性の精密な酸化膜成膜を提供します。
VERSYS METAL シリーズ製品
リアクティブ・イオンエッチング（RIE）
これらのメタルエッチング製品は、電気配線およびメタルハードマスク用途向けに高い生産性を備えたプロセス制御を提供します。
Related Blog Posts
-
Will Moly Replace Tungsten in Semiconductors?
Feb 1, 2024To keep pace with Moore's Law and enable greater interconnect scaling, the semiconductor ecosystem is continually experimenting with variations of materials. Tungsten has been the interconnect metal of choice for nearly a quarter century in NAND, DRAM, and logic/foundry middle-of-line applications. But scaling requirements are now pushing the boundaries of what is possible with tungsten. A variety of metals are being considered, but one — molybdenum — is an especially promising candidate. At the atomic dimensions required for advanced chipmaking, moly is emerging as the most suitable material to replace tungsten, creating a major inflection in the industry.
-
A Deposition and Etch Technique to Lower Resistance of Semiconductor Metal Lines
Mar 22, 2023Cu’s resistivity depends on its crystal structure, void volume, grain boundaries and material interface mismatch, which becomes more significant at smaller scales. The formation of Cu wires is traditionally done by etching a trench pattern in low-k silicon dioxide using a trench etch process, and subsequently filling the trench with Cu via a damascene flow. Unfortunately, this method produces multi-crystalline structures with significant grain boundaries and voids, which increases the Cu wire resistance. A highly resistive TaN liner material is also utilized in this process to prevent Cu diffusion during the damascene annealing process.