ALTUS製品ファミリー
Products
化学気相成長（CVD） 原子層堆積（ALD）
Lamの市場をリードするALTUS®システムは、CVDおよびALD技術を組み合わせ、先進的なメタライゼーション用途に求められる高コンフォーマル膜を成膜。
モリブデン（Mo）は、ALDを使用することで、デバイス構造への優れた充填を実現。 また、フッ素を含まないハロゲン系プリカーサを使用することで、タングステンにおいて問題となる絶縁膜ダメージを回避できます。 エッチバックおよび化学機械研磨（CMP）プロセスは、既存の化学処理およびツールセットを活用することで、ファブプロセスフローへの迅速な統合を実現。
タングステン成膜は、半導体チップ上のコンタクト、ビア、プラグなどの導電構造の形成に使用。 これらの小さく、しばしば非常に狭い構造では、使用される金属の量が限られるため、抵抗を最小限に抑え、完全な充填を達成することが困難です。 ナノスケールの寸法では、わずかな欠陥でもデバイスの性能に影響を及ぼし、チップの故障を引き起こす可能性があります。
業界の課題
半導体メーカーがより微細な技術ノードへ移行するにつれ、コンタクトメタライゼーションプロセスは、先進デバイスの低消費電力化や高速度化の要求を満たすために、コンタクト抵抗の最小化などの大きなスケーリングおよび統合の課題に直面しています。
ナノスケール構造において、従来のCVDによるタングステン（W）の完全充填は、従来のバリア膜や成膜技術によるオーバーハングの影響で制限されます。 その結果、構造が完全に充填される前に開口部が閉じてしまい、ボイドの発生、抵抗の増加、コンタクト不良を引き起こします。 完全に充填された微細な構造であっても、含まれるタングステンの量が少なくなるため、コンタクト抵抗が増加します。
先端メモリおよびロジックデバイスには、完全かつ欠陥のないタングステン充填を可能にしつつ、バルクタングステンの抵抗を低減する成膜技術が求められます。 コンタクト充填を改善し、コンタクト抵抗を低減するためには、良好なバリアステップカバレッジと、PVD（物理蒸着）や CVD バリア膜と比較して薄膜での低抵抗化が求められます。
計算能力の高度化に対する需要は急速に増加しており、現在の半導体メーカーはスケーリングの限界を押し広げる競争を繰り広げています。
なぜモリブデンなのか
NAND、DRAM、ロジック構造の要求を満たすためには、新たな成膜技術が必要です。 従来のメタライゼーションプロセスでは、これらのスケーリング要求を満たすことができず、業界は最先端の3つのICタイプすべてにおいて、モリブデン（Mo）メタライゼーションを導入しています。
しかし、ALD装置を用いて Moを製造プロセスに適用するためには、さらなる革新が必要です。 Moの実用化には以下の課題が存在します： 高温適用能力により、先進的なリアクターおよびプロセスシーケンス設計が可能となり、ウェハ温度を精密に制御できるほか、Mo 固体プリカーサをさまざまな化学ハンドリング技術を通じてバルク供給することができます。
お客様の主なメリット
- クアッドステーションモジュール（QSM）アーキテクチャにより、プロセスの柔軟性と生産性を向上させ、シーケンシャルプロセシングとライナーとバルクの多温度成膜を可能にします。
- 先進的なALD充填技術
- 高温対応の真空クランプ式セラミックペデスタルを使用したウェハの反り管理により、優れた熱均一性を実現し、ウェハ裏面への成膜を防止。
- サブファブ昇華キャビネットによるプリカーサ供給により、ファブの設置面積を削減し、プリカーサアンプルの交換を中断なく実行可能。
- 革新的な先進化学エッチ（ACE）を用いた統合クリーニング。
- マルチステーション、マルチ温度対応のシーケンシャルまたはバッチプロセス。
- 熱およびプラズマMo ALD
- 容量結合プラズマ（CCP）およびリモートプラズマによる前処理オプション
- プラットフォーム構成の柔軟性
- タングステン（W）薄膜の生産性における業界ベンチマーク
- Lamのパルス核生成層（PNL）ALDプロセスによって形成された核生成層と、特許取得済みのマルチステーションシーケンシャルデポジション（MSSD）アーキテクチャによるインシチュバルクCVD充填
- ALDを用いた薄膜Wの厚み低減およびCVDバルク充填の結晶成長制御により、全体の抵抗値を低減
- 低フッ素・低応力のW充填により、先進的な3D NANDおよびDRAMに対応
- ALDを活用したWN膜の成膜により、従来のバリア膜と比較して、薄膜化を実現しつつ高いステップカバレッジを達成
製品の提供
- ALTUS® Halo
- Concept Two® ALTUS®
- ALTUS® Max
- ALTUS® Max ExtremeFill™
- ALTUS® DirectFill™ Max
- ALTUS® Max ICEFill®
- ALTUS® LFW
キーアプリケーション
- プラグ、コンタクト、およびビアフィル
- 3D NAND ワードライン
- 低応力の複合インターコネクト
- ビアおよびコンタクトメタライゼーション向けの WN バリア