CORONUSシリーズ製品
Products
Plasma Bevel Etch and Deposition
ベベルエッチはウェハエッジ部の不要なマスク、残渣、残膜を各工程間で取り除きます。適切に除去されない場合、これらは欠陥の原因となり得るからです。例えば、後続の工程で剥離してデバイス領域に再付着するかもしれません。たった一つのパーティクルでもデバイスの重要な部位に落ちればチップ全体の不良につながります。重要な工程の間でベベルクリーンを行うことで、こうした欠陥の原因を取り除き、より多くの良品チップを得ることができます。
あるいはベベル部に成膜を行うことで、この部分を覆う保護膜を形成することもできます。例えば、3DNAND のような先進メモリーデバイスでは、非常に長いエッチングプロセスが要求されます。保護バリアがなければ、こうした長時間の工程は、歩留まりが全く得られなくなるほどのダメージを基板に与えかねません。3D パッケージ用ウェハ接合の場合では、ベベル部への成膜がキャリアとデバイスとの機械的支持、チッピングの防止、平坦化など、高品質な接合に貢献します。
ラムリサーチの Coronus® シリーズのベベルエッチとデポジション製品は、精密な制御性と柔軟性を持つプラズマ技術とデバイス領域を保護する技術を融合することでウェハエッジを保護し、歩留まりの向上に貢献します。
業界の課題
半導体メーカーはウェハの外周部からより多くの良品ダイを多く得るためにエッジ・エクスクルージョン（edge exclusion）を狭くすることに注力しています。 そのため、ベベルの管理は開発チームにとって、より優先度の高い課題となっています。ウェハエッジ近傍の多層膜が摩耗したり機械的ストレスを受けると、そこで膜剥がれが生じ、さらにその剥離片がウェハ表面に付着すると歩留まり低下の要因になり得ます。特に液浸リソグラフィではウェハエッジの品質は大変重要です。 ウェハエッジにある異物が水でウェハ表面に流され、歩留まり異常を引き起こすためです。このような問題に対処するため、ベベル領域を対象にしたクリーニングまたは成膜により、歩留まり低下の原因となるウェハエッジの欠陥を除去します。
お客様の主なメリット
- 不要な残留物をウェハエッジから選択的に除去することによる歩留まりの向上
- 独自のプラズマ閉じ込め技術による、アクティブ領域の保護
- 複数の材質から成る多層膜や残渣を一括処理で除去することで、高い生産性を確保
- アモルフォス・カーボンやカーボンリッチな残留物を除去できる業界唯一のベベルクリーン装置
- メタル膜の除去による後続のエッチングや成膜工程でのアーキング防止
- ウェハエッジのチッピングやロールオフなどウェハ接合時の問題解決
- 長時間のウェットエッチングによる、ベベル部の基板ダメージ防止
製品の提供
- Coronus®
- Coronus® HP
- Coronus® DX
キーアプリケーション
- シャロー・トレンチ・アイソレーション（STI）、ゲート、中間工程（Middle-Of-Line：MOL）、後工程（Back-End-Of-Line：BEOL）などのエッチング工程後処理
- 成膜工程の前・後処理
- 露光（リソグラフィ）の前処理
- メタル膜除去
- ウェハ接合ギャップフィル
- ウェット＆ドライエッチングに対するベベル保護