DSIE シリーズ製品
Products
ディープリアクティブ・イオンエッチング（DRIE）
エッチング技術はあらゆる集積回路（IC） 製造において、チップ内の入り組んだ構造を加工するに用いられます。マイクロマシン等の微細な電気機械システム（Micro-ElectroMechanical Systems：MEMS）の生産工程では大型キャビティや高アスペクト比（High Aspect Ratio：HAR）のディープトレンチのような機械的構造を形作るのに使用されます。
ラムリサーチの DSiE™ シリーズ はMEMS・パワーデバイス・受動素子・センサー・トランスデューサ等のクリティカルや非クリティカルのシリコン深掘り工程で、優れたプロセス制御性能を発揮します。
業界の課題
MEMS製造ではエッチングによって様々な形状を作りますが、それぞれの形状に合わせて個別のプロセス条件で加工する必要があります。例えばジャイロや慣性センサなどの高度な加工ではエッチング断面角、傾き、非対称性、均一性などの制御に高い精度が必要です。3次元パッケージングに用いられるシリコン貫通ビア（Through-Silicon Vias：TSVs）はやや高度なプロセスですが、 エッチング断面角と深さの均一性に高い精度が求められます。パワーデバイスにおけるトレンチ加工も同様です。ウェハレベル・パッケージ（Wafer-Level Packaging：WLP）におけるキャップのエッチング等のMEMS加工はさほど難しくはないのですが、深さの均一性と側壁を滑らかに仕上げる必要があり、かつスループットが速いことが重要になります。高い生産性を維持しながら、このように多様な条件に対応するのは非常に困難です。更には、これらのデバイスの多くは生産ロットが小さいので、コスト効率にも配慮しなければならないことです。
お客様の主なメリット
- Bosch法とSteady-State プロセスの両方で速いエッチング速度を実現した、高い生産性と柔軟性
- ガス流量比及びTCCT(Transformer Coupled Capacitive Tuning)により深さ均一性の調整が可能
- 高度なプロセス制御により加工の対称性と傾きが向上
- 高速でガス切替えができるのでCDの微調整が可能
製品の提供
- DSiE™ III
- DSiE™ F シリーズ
- DSiE™ G シリーズ
キーアプリケーション
- MEMSにおけるシリコン深掘り（トレンチやキャビティ）
- パワーデバイスにおけるシリコンのトレンチ
- WLPにおけるシリコン貫通ビア