EOS シリーズ製品

ウェハウェットクリーニングは半導体製造プロセスの中で何度も繰り返される重要な工程です。デバイスのパターン寸法が10nmを切る所まで進み、新材料の導入もされる中、クリーニングの頻度も飛躍的に上がっています。クリーニングプロセス自体も複雑になり、処理時間も長くなるので生産性の向上が望まれています。多くの技術課題を克服するために、より高度なクリーニング技術が必要になっているのです。 例えば多重パターニング工程ではライン倒れを起こさないような乾燥方法やパターンを損なわないパーティクル除去技術が必要になっています。一方、FinFET、3D NANDやその他、3D構造を持ったデバイスにおいては、クリーニングプロセスで材料ロスを起こさない事がとても重要なのです。ウェハの反りや3D NAND構造におけるストレスを調整するために，ウェハ裏面膜除去やプロファイルの制御が必要とされています。