脉冲激光沉积シリーズ製品 - Lam Research

脉冲激光沉积シリーズ製品

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パルスレーザー堆積(PLD)

パルスレーザー・デポジション(PLD)は、広範囲の先端薄膜マテリアルを成膜できる、非常に汎用性の高い薄膜成膜技術です。 今日の市場では、先進の新しい材料システムが求められており、PLDにより、PVD反応性スパッタリングのような従来の技術では現実的に成膜できない層が可能になります。

この成膜ソリューションにより、より高度なデバイス設計が可能になり、5G、WiFi 6および6E、ハイエンドMEMSマイクロフォン、その他のMEMSアプリケーション向けの次世代RFフィルタを牽引しています。 PLD技術は、AR/VRや量子コンピューティングなどのアプリケーション向けの新しい材料システムに対する市場の需要に応えるため、継続的に開発されています。 半導体業界のリーダーとして、当社は卓越したエンジニアリングを通じて技術革新のペースを加速し、半導体メーカーが今日の世界を形作るスペシャルティテクノロジーを創造するのを支援しています。

業界の課題

スペシャルティ・テクノロジーにおける多様なアプリケーションには、新しいマテリアルのプロセスが必要です。 そのような材料のひとつが、スカンジウムを多く含む窒化スカンジウムアルミニウム(AlScN)です。 5G 市場の成長に伴い、より高い周波数帯域のフィルターが必要となり、既存の量産技術に課題が生じています。 これらの課題に対処するには、より高度なデバイス設計を可能にする、非常に汎用性の高い薄膜形成技術が必要です。 Lamの脉冲激光沉积製品は、40%以上のAlScN膜の量産を可能にします。

  • RFフィルターは、ネットワークが処理できるユーザー数を増やすと同時に、各ユーザーの速度を向上させることで、5GとWiFi 6のパフォーマンスにおいて重要な役割を果たします。 高スカンジウム含有膜は、機械的結合係数を高めることでRFフィルターの性能を向上させます。
  • MEMSマイクロフォンは、5G対応デバイスの音声コントロール機能やノイズキャンセリングに不可欠な、こもった音も正確に捉えることができる高いS/N比が評価されています。 高スカンジウム含有膜により、圧電性能(e31,f)と誘電損失(tan d)が複合的に向上し、S/N比が改善されます。

お客様の主なメリット

  • 複雑なマテリアル、特に AlScN などのセラミックを成膜する多用途性
  • 低い誘電損失と高い圧電性能を含む、優れた膜質
  • 膜厚やストレスの WiW 均一性調整といった高度な膜制御
  • 既存のインストールベースである2300® トランスポートモジュールを活用し、エッチングなど他のLam製品との相乗効果を生み出します。

製品の提供

  • 脉冲激光沉积

キーアプリケーション

  • RF MEMS、MEMSマイク、圧電マイクロマシニング超音波トランスデューサ(PMUT)、マイクロスピーカー用のAlScN層
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