RELIANT成膜製品
Products
RELIANT システム パルスレーザー堆積（PLD） プラズマ化学気相成長（PECVD） 化学気相成長（CVD） 高密度プラズマ化学気相成長（HDP-CVD）
チップ製造全体を通して使用される成膜プロセスは、半導体デバイス部品や配線の形成に役立つ幅広い導電性材料と絶縁性材料をウェハ上に堆積させます。 微小電気機械システム（MEMS）や電源デバイスなどの市場では、多数の形状やさまざまな材料に追加の製造要件が伴います。
ラムリサーチの RELIANT® 成膜製品ファミリーは、スペシャルティ・テクノロジーのロードマップを実現し、ファブの生産寿命を延ばします。
Industry Challenges
近年、半導体業界は、パワーチップ、CMOSイメージセンサー（CIS）、無線周波数（RF）フィルター、微小電気機械システム（MEMS）などの新しい分野に拡大しており、これにより高い接続性、より強力なイメージング、その他多くの市場主導の機能を実現させています。 製造にはさまざまな要件が使用されるため、成膜技術は多くの材料と性能のニーズに対応する必要があります。
Key Customer Benefits
- マルチステーション連続成膜（MSSD）により可能となる幅広いプロセス要件に対応する柔軟性
- ウェハ表面全体において向上した膜均一性
- 優れたストレス安定性を持つ再現可能なフィルム物性
- 高スループットで効率的なウェハ取り扱い設計による高い生産性
- 150 mm～300 mmの生産実績のある、低CoOソリューション
Product Offerings Pro
- Concept Two® ALTUS®（200 mm）
- Concept Two®SEQUEL®（200 mm、150 mm）
- Concept Two®SPEED®（200 mm）
- Pulsus™
- SPEED® Max（300 mm）
- VECTOR®（300 mm、200 mm）
Key Applications
- 化学気相成長（CVD）タングステン
- 高密度プラズマ（HDP）- CVDギャップフィル酸化物
- プラズマCVD（PECVD）シラン酸化物、窒化物、酸窒化物
- PECVD TEOS酸化物
- パルスレーザー堆積（PLD）
- ドープ酸化物（ホウ素リン）