STRIKER シリーズ製品
Products
Atomic Layer Deposition (ALD)
最新のメモリ、ロジック、イメージングデバイスは高性能化と微細化を押し進めるためには極薄のコンフォーマルな誘電膜の形成技術が必要になります。例えば、そのような膜は、スペーサによって線幅寸法（critical dimension：CD）が定義されるスペーサベースの複数のパターニングスキームおよびライナーの絶縁に不可欠です。このような用途では、非常に小さな欠陥も許されません。
ラムリサーチのStriker® ALD シリーズは工程や製品毎に異なる困難な技術課題を克服するためにプロセスやハードウェアのオプションを用意しています。問題解決に必須となるソリューションを業界最高水準の成膜技術、欠陥の少なさ、保有コスト（CoO）の安さで提供します。
業界の課題
半導体産業は より高い演算能力、より多くのデータ容量、より迅速なパターン認識能力を求めて微細化の極限をも越えようとしています。新たな微細化の手法として登場した３D構造によりチップ製造の世界には技術革新が必要になりました。こうしたニーズに応えるためには最先端のパターニング技術に適合し、静電容量の抑制、絶縁特性の向上、そして無欠陥の気密封止等の膜特性を備えた極薄のコンフォーマルな誘電膜を形成できる成膜プロセスが必要になります。そんな中、要求されるウェハ加工の結果を得るべく、装置メーカーは原子層成膜（ALD）に目を向けています。これは膜が一層ずつ形成される方法で、パターンの寸法や密度の影響を受けません。かつ、それと同時に量産環境で必要とされる生産性を提供することも重要なのです。
お客様の主なメリット
- 高速なALD サイクルやALD用部品、ソフトウェア、制御システムが実現する業界をリードする技術、欠陥の少なさ、短いプロセス時間
- 用途に応じ、広範な温度範囲において膜の電気的・機械的特性を細かく設定可能
- 複数の化学材料を扱え、成膜や同一装置上（in-situ）でのマスクトリミングなどに適用可能
- 気密性が高く無欠陥のコンフォーマルなライナー膜を生成
- 選択比が高く、ウェットエッチレートが低い膜の生成
- 量産実績があるMulti-Station Static Deposition 設計により、業界最高水準の高生産性と保有コスト（CoO）の安さを実現
製品の提供
- Striker®
- Striker® FE
キーアプリケーション
- 絶縁膜埋め込み
- コンフォーマルなライナー膜
- スペーサやマスクのパターニング
- 気密封止
- エッチストップ層
- 光学フィルム