VANTEX シリーズ製品

ビットあたりのメモリコストの削減増減 においては、デバイス設計におけるアグレッシブな垂直スケーリングや、複数の形状機能を同時にエッチングし複雑な新しい統合スキームを実行するなどの課題に対処する必要があります。垂直スケーリングは、横方向のデバイス密度を維持できるよう同じCDレベルを維持しながら、新しいレベルの深さまでエッチングする必要があります。

イオン入射角のわずかな差によって形状機能が大きく変わり、歩留まりの低下につながる可能性があるため、エッチングの垂直指向性が重要になります。複数のエッチングを組み合わせて、コストを削減するには、異なるCDと形状で同時にこのパフォーマンスを実現させる必要があります。お客様の高度な統合スキームにより、複数の材料が露出する複雑さが増し、選択性制御を強化する必要があります。